Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1826818 Art A3 15. April 2015

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1826818
Aktenzeichen
EP07002951
Anmeldetag
12. Februar 2007
Veröffentlichung
15. April 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/12H01L21/84G11C11/56G11C13/00H01L27/13H01L51/05
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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