Halbleiterspeichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

EP1826819 Art A3 26. November 2014

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1826819
Aktenzeichen
EP07004031
Anmeldetag
27. Februar 2007
Veröffentlichung
26. November 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/12H01L21/84H01L29/78H01L27/108
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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