Verfahren zur Bildung eines Halbleiterbauelements mit Gate-Seitenwand-Abstandselementen Spezifischer Dimensionen

EP1829092 Art B1 3. Dezember 2008

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1829092
Aktenzeichen
EP05852586
Anmeldetag
29. November 2005
Veröffentlichung
3. Dezember 2008
Erteilung
3. Dezember 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L21/027G03F9/00H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen