Verfahren zum Transfer einer Schaltung zu einer Masseverbindungsebene
EP1829100
Art A1
5. September 2007
Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies, Tracit Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1829100
- Aktenzeichen
- EP05848368
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 5. September 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies
Tracit Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Ahner, Philippe
Paris La Défense, Frankreich
884
Patente gesamt
33
Fachgebiete
16
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Weitere Vertreter
-
Poulin, Gérard
NoneParis