Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Verbindungshalbleitersubstrats, Herstellungsverfahren für den Verbindungshalbleiter, Verbindungshalbleitersubstrat und Halbleiterwafer

EP1830397 Art A3 16. September 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1830397
Aktenzeichen: EP07003901
Anmeldetag: 26. Februar 2007
Veröffentlichung: 16. September 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306H01L21/02B08B3/04B08B3/12// H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik

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