Verfahren und Vorrichtung für den Sequenziellen Wechsel von Plasmaprozessen zur Optimierung eines Substrats

EP1831429 Art A2 12. September 2007

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1831429
Aktenzeichen
EP05854442
Anmeldetag
16. Dezember 2005
Veröffentlichung
12. September 2007
Rechtsraum
EP
IPC
C23F4/00C23C14/02C23C16/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Lam Research Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen