Wafer-Gebondeter Mos-Entkopplungskondensator und Herstellungsverfahren
EP1831920
Art B1
20. Februar 2013
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1831920
- Aktenzeichen
- EP05853565
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2013
- Erteilung
- 20. Februar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/8242H01L23/48H01L23/50H01L29/94H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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