Gatestruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP1831929
Art A1
12. September 2007
Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1831929
- Aktenzeichen
- EP05810641
- Anmeldetag
- 5. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 12. September 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
1.230
Patente gesamt
32
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schneider, Michael
NoneMünchen