Verfahren für die Herstellung feiner Strukturen für Dünnschichttransistoren

EP1837898 Art B1 13. Mai 2015

Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1837898
Aktenzeichen: EP07104741
Anmeldetag: 23. März 2007
Veröffentlichung: 13. Mai 2015
Erteilung: 13. Mai 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L21/033H01L27/12H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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