Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung
EP1837900
Art A3
15. Oktober 2008
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1837900
- Aktenzeichen
- EP07005506
- Anmeldetag
- 16. März 2007
- Veröffentlichung
- 15. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L21/8247H01L21/84H01L27/105H01L27/115H01L27/12H01L29/788G11C16/04H01L29/423H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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