Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Siliciumcarbidsubstrat mit eingebetteter Isolierschicht sowie entsprechende Herstellungsvorrichtung
EP1837904
Art A3
26. Dezember 2007
Anmelder: OSAKA PREFECTURE, Hosiden Corporation, HOSIDEN CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1837904
- Aktenzeichen
- EP07075382
- Anmeldetag
- 23. März 2004
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/20C30B29/36H01L21/324C23C16/32C23C16/02C23C16/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSAKA PREFECTURE
Hosiden Corporation
HOSIDEN CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hosiden
Hosiden ist ein japanischer Hersteller von elektronischen Steckverbindern, Sensoren und Wandlerkomponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Nachrichtentechnik, ergänzt durch Software und Optik für Verbindungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.
480 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
Anmelder-Länder
Schwerpunkte