Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem Germanium enthaltenden Kanal
EP1837916
Art B1
6. Januar 2010
Anmelder: STMICROELECTRONICS S.A., STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, ST MICROELECTRONICS S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1837916
- Aktenzeichen
- EP07104318
- Anmeldetag
- 16. März 2007
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2010
- Erteilung
- 6. Januar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMICROELECTRONICS S.A.
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
ST MICROELECTRONICS S.A. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Zapalowicz, Francis
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