Atomlagenabscheidungsverfahren
EP1840241
Art B1
13. Juni 2012
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1840241
- Aktenzeichen
- EP07007579
- Anmeldetag
- 21. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 13. Juni 2012
- Erteilung
- 13. Juni 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/44C30B25/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
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