Verfahren zur Herstellung eines III-Nitridmaterials auf einem Siliziumsubstrat
EP1842940
Art A1
10. Oktober 2007
Anmelder: IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1842940
- Aktenzeichen
- EP06118018
- Anmeldetag
- 27. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 10. Oktober 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C30B29/40C30B29/36H01L21/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
2.629 Patente in unserer Datenbank