Verfahren zur Herstellung eines Dual-Gate Fet
EP1844498
Art B1
14. März 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1844498
- Aktenzeichen
- EP06710721
- Anmeldetag
- 23. Januar 2006
- Veröffentlichung
- 14. März 2012
- Erteilung
- 14. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/423H01L21/336H01L29/786H01L29/49H01L29/165
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röggla, Harald
NoneWien