Niederleistungsdifferenzeingangsstufe mit Hohem Dynamischen Bereich
EP1844547
Art B1
14. Januar 2015
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1844547
- Aktenzeichen
- EP06704552
- Anmeldetag
- 16. Januar 2006
- Veröffentlichung
- 14. Januar 2015
- Erteilung
- 14. Januar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/45H03D7/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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