Verfahren zur Herstellung einer Soi-Struktur
EP1846321
Art B1
22. Dezember 2010
Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1846321
- Aktenzeichen
- EP05702532
- Anmeldetag
- 31. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2010
- Erteilung
- 22. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00H01L21/20H01L21/762H01L21/268C30B25/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette