Verfahren zur Herstellung eines Planaren Doppelgate-Transistors
EP1846945
Art A2
24. Oktober 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1846945
- Aktenzeichen
- EP05854001
- Anmeldetag
- 14. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette