Verfahren zur Wiederherstellung der Ätzrate und der Ätzeinheitlichkeit bei Siliziumelektrodenanordnungen
EP1848597
Art B1
14. September 2011
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1848597
- Aktenzeichen
- EP05854136
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 14. September 2011
- Erteilung
- 14. September 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00B24B1/00B08B3/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Morf, Jan Stefan
München, Deutschland
949
Patente gesamt
33
Fachgebiete
13
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