Thermische Oxidation einer Sige-Schicht und Anwendungen dafür
EP1851789
Art B1
1. Mai 2013
Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1851789
- Aktenzeichen
- EP05708734
- Anmeldetag
- 24. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2013
- Erteilung
- 1. Mai 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3105H01L21/762H01L21/316H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes