Nitrid-Halbleitermaterial und Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterkristalls
EP1852897
Art A1
7. November 2007
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1852897
- Aktenzeichen
- EP06713322
- Anmeldetag
- 8. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 7. November 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C23C16/34H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
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Vertreten von
Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
1.221
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