Mehrstufige Programmierung bei einer Nichtflüchtigen Speichervorrichtung
EP1854102
Art B1
26. August 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1854102
- Aktenzeichen
- EP06736241
- Anmeldetag
- 28. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 26. August 2009
- Erteilung
- 26. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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