Eingebetteter Dram mit Erhöhter Kapazität und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1854138
Art A2
14. November 2007
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1854138
- Aktenzeichen
- EP06710913
- Anmeldetag
- 15. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 14. November 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röggla, Harald
NoneWien