Prozess zum Herstellen eines Modifizierten Porösen Silikafilms, durch den Prozess Erhaltener Modifizierter Poröser Silikafilm und den Modifizierten Porösen Silikafilm Verwendendes Halbleiterbauelement

EP1855313 Art A1 14. November 2007

Anmelder: ULVAC, INC., TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1855313
Aktenzeichen: EP06713744
Anmeldetag: 15. Februar 2006
Veröffentlichung: 14. November 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316C01B33/12H01L21/768H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: ULVAC, INC.
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

444 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von