Verfahren zur Herstellung eines Nitrierten Gate-Dielektrikums
EP1856724
Art A2
21. November 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1856724
- Aktenzeichen
- EP06720394
- Anmeldetag
- 8. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 21. November 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3205H01L21/31H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette