Prüfverfahren eines Verbindungshalbleitersubstrats, Verbindungshalbleitersubstrat, Verfahren zur Behandlung der Oberfläche des Verbindungshalbleitersubstrats und Verfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleiterkristalls

EP1858062 Art A3 29. Oktober 2008

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1858062
Aktenzeichen: EP07009633
Anmeldetag: 14. Mai 2007
Veröffentlichung: 29. Oktober 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von