Betriebsverfahren für eine Speichermatrix mit Hysteresebehafteten Widerstandselementen

EP1859449 Art B1 10. April 2013

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1859449
Aktenzeichen
EP06710983
Anmeldetag
28. Februar 2006
Veröffentlichung
10. April 2013
Erteilung
10. April 2013
Rechtsraum
EP
IPC
G11C13/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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