Oberflächenbehandlungsverfahren für ein Nitridkristall, Nitridkristallsubstrat, Nitridkristallsubstrat mit Epitaxialschicht und Halbleitervorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines Nitridkristallsubstrats mit Epitaxialschicht und Halbleitervorrichtung
EP1863074
Art A3
25. November 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1863074
- Aktenzeichen
- EP07010089
- Anmeldetag
- 21. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 25. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/02C30B29/40C30B33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.182 Patente in unserer Datenbank