FET Halbleiterbauelement mit abschnittsweise ringförmig ausgebildeten Gateelektroden

EP1863088 Art A3 24. November 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1863088
Aktenzeichen: EP07010724
Anmeldetag: 30. Mai 2007
Veröffentlichung: 24. November 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/02H01L27/088

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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