Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Vergrabenen Dotierten Region
EP1864321
Art A1
12. Dezember 2007
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1864321
- Aktenzeichen
- EP06727694
- Anmeldetag
- 21. März 2006
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/74H01L29/868
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven