Verfahren zum Herstellen eines Siliziumoxidfilms, Steuerprogramm Dafür, Aufzeichnungsmedium und Plasmaverarbeitungsvorrichtung

EP1865548 Art A1 12. Dezember 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1865548
Aktenzeichen: EP06730231
Anmeldetag: 28. März 2006
Veröffentlichung: 12. Dezember 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316H01L21/31H01L21/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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