Verfahren zur Begrenzung der Diffusion im Lückenmodus in einer Heterostruktur
EP1865551
Art A2
12. Dezember 2007
Anmelder: S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1865551
- Aktenzeichen
- EP07108925
- Anmeldetag
- 25. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Desormiere, Pierre-Louis
Paris, Frankreich
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