Unter Spannung Stehendes Zwischenschichtdielektrikum für eine Integrierte Schaltung
EP1869708
Art A2
26. Dezember 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1869708
- Aktenzeichen
- EP06735153
- Anmeldetag
- 16. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11H01L27/105H01L27/12H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8244H01L21/84
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
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Ferro, Frodo Nunes
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