Verfahren zur Herstellung von Iii-N-Schichten, Substraten enthaltend Iii-N-Schichten und Ihre Verwendung in Halbleiter Vorrichtungen
Anmelder: Freiberger Compound Materials GmbH, OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Osram Opto Semiconductors GmbH, Forschungsverbund Berlin e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1871928
- Aktenzeichen
- EP06753501
- Anmeldetag
- 5. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2013
- Erteilung
- 30. Oktober 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40H01L21/205H01L21/02C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Freiberger Compound Materials GmbH
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Osram Opto Semiconductors GmbH
Forschungsverbund Berlin e.V. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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