Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Draht-Durchgangsverbindungen
EP1872387
Art B1
8. August 2018
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1872387
- Aktenzeichen
- EP06739005
- Anmeldetag
- 20. März 2006
- Veröffentlichung
- 8. August 2018
- Erteilung
- 8. August 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/48H01L21/768H01L23/498B23K20/00H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Kanzlei
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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