Einkristallines, mit Sauerstoff dotiertes N-Galliumnitrid-Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1873280 Art B1 13. Mai 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1873280
Aktenzeichen: EP07016498
Anmeldetag: 26. März 2002
Veröffentlichung: 13. Mai 2009
Erteilung: 13. Mai 2009
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40C30B25/02C30B33/00H01L21/205C23C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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