Prozess zur Herstellung eines auf Galliumnitrid Basierenden Zusammengesetzten Halbleiterlaserelements und auf Galliumnitrid Basierendes Zusammengesetztes Halbleiterlaserelement

EP1873880 Art A1 2. Januar 2008

Anmelder: SANYO ELECTRIC CO., LTD., Tottori Sanyo Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1873880
Aktenzeichen: EP06730796
Anmeldetag: 31. März 2006
Veröffentlichung: 2. Januar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/343H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SANYO ELECTRIC CO., LTD.
Tottori Sanyo Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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