Gruppe Iii-Nitrid-Halbleiterbauelement und Epitaktisches Substrat

EP1876649 Art A1 9. Januar 2008

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1876649
Aktenzeichen: EP06712047
Anmeldetag: 20. Januar 2006
Veröffentlichung: 9. Januar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/872H01L29/47H01L29/04// H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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