Transistor mit Höher Elektronenmobilität (hemt) mit Refraktärem Gatemetall
EP1878058
Art A1
16. Januar 2008
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation, Northrop Grumman Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1878058
- Aktenzeichen
- EP06849105
- Anmeldetag
- 3. März 2006
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/47H01L29/423
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Northrop Grumman Systems Corporation
Northrop Grumman Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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Kinsler, Maureen Catherine
London, Großbritannien
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