Material zur Bildung einer Porösen Halbleiterschicht

EP1878067 Art A1 16. Januar 2008

Anmelder: Seiko Epson Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1878067
Aktenzeichen
EP06732174
Anmeldetag
14. April 2006
Veröffentlichung
16. Januar 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L51/30
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Seiko Epson Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Epson

Japanisches Unternehmen, das Drucker, Scanner, Projektoren sowie Uhrwerke und Sensortechnik entwickelt und herstellt.

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