Direktes hydrophobes Verfahren zum Kleben von zwei Substraten zur Verwendung in der Elektronik, Optik und Opto-Elektronik.
EP1879220
Art A3
22. September 2010
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1879220
- Aktenzeichen
- EP07112043
- Anmeldetag
- 9. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 22. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
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17
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4
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes