Verfahren zum Herstellen eines Mos-Bauelements mit einem High-K Gate-Dielektrikum oder Sion
EP1880409
Art B1
26. März 2014
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1880409
- Aktenzeichen
- EP05740025
- Anmeldetag
- 21. April 2005
- Veröffentlichung
- 26. März 2014
- Erteilung
- 26. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/51H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.413 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette