Verfahren zum Herstellen eines Mos-Bauelements mit einem High-K Gate-Dielektrikum oder Sion

EP1880409 Art B1 26. März 2014

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1880409
Aktenzeichen
EP05740025
Anmeldetag
21. April 2005
Veröffentlichung
26. März 2014
Erteilung
26. März 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L29/51H01L29/49
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Akustik, Musik & Datenspeicherung
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen