Herstellungsverfahren eines Transistors mit selbstausrichtenden Doppelgates durch Reduzierung der Gate-Muster
EP1881533
Art A3
20. Februar 2008
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1881533
- Aktenzeichen
- EP07118245
- Anmeldetag
- 17. November 2006
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Vertreten von
Poulin, Gérard
Paris, Frankreich
1.981
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