Auf Nitrid Basierendes Halbleiterelement und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP1881535 Art B1 1. Juni 2016

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1881535
Aktenzeichen
EP06745721
Anmeldetag
26. April 2006
Veröffentlichung
1. Juni 2016
Erteilung
1. Juni 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/32H01L33/00// H01L33/02H01L33/14
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nichia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

967 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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