Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterelements

EP1881536 Art A1 23. Januar 2008

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1881536
Aktenzeichen: EP06746072
Anmeldetag: 8. Mai 2006
Veröffentlichung: 23. Januar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01L21/20H01L21/268H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von