Nitrid-Halbleiterelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1881537 Art A1 23. Januar 2008

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1881537
Aktenzeichen: EP06746073
Anmeldetag: 8. Mai 2006
Veröffentlichung: 23. Januar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01L21/205H01L21/338H01L29/26H01L29/778H01L29/812H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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