Oberflächenbearbeitung nach Selektivem Ätzen

EP1883953 Art B1 25. Januar 2012

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1883953
Aktenzeichen
EP06794439
Anmeldetag
18. Mai 2006
Veröffentlichung
25. Januar 2012
Erteilung
25. Januar 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/306
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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