Halbleiterbauelement mit Verringerter Metallschichtbelastung
EP1883960
Art A2
6. Februar 2008
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1883960
- Aktenzeichen
- EP06752301
- Anmeldetag
- 4. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/12H01L23/48H01L23/52H01L23/053H01L29/40H01L23/00H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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