Verfahren zur Herstellung dotierter Regionen von Metall-Halbleiter-Verbindungen
EP1884988
Art A1
6. Februar 2008
Anmelder: IMEC, NXP B.V., Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum, Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1884988
- Aktenzeichen
- EP07014967
- Anmeldetag
- 31. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285// H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
NXP B.V.
Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bird, William Edward
Heverlee, Belgien
884
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kirkpatrick
Kirkpatrick · La Hulpe