Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP1887631
Art A1
13. Februar 2008
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1887631
- Aktenzeichen
- EP06731512
- Anmeldetag
- 10. April 2006
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/423H01L29/06H01L21/336// H01L29/10H01L29/45H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
Steil, Christian
Stuttgart, Deutschland
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